2P202D-1
* 2П202Д-1
| Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2P202D1N
* 2П202Д1Н
| Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2P202E-1
* 2П202Е-1
| Одиночный бескорпусной кремниевый эпитаксиальнопланарный с p-n перехо
дом и каналом n-типа,малошумящий. Для гибридных интегральных микросхем
|
2P202E-1 (i-l)
* 2П202Е-1 (и-л)
| Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2P202E1N
* 2П202Е1Н
| Одинарный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS104A
* 2ПС104А
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального на
значения.
|
2PS104B
* 2ПС104Б
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения.
|
2PS104V
* 2ПС104В
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения.
|
2PS104G
* 2ПС104Г
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения.
|
2PS104D
* 2ПС104Д
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения.
|
2PS104E
* 2ПС104Е
| Кремниевый ионолегированный, эпитаксиально-планарный с p-n переходом и
каналом n-типа, сдвоенный, малошумящий. Для устройств специального
назначения.
|
2PS202A-1
* 2ПС202А-1
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202A1N
* 2ПС202А1Н
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202B-1
* 2ПС202Б-1
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202B1N
* 2ПС202Б1Н
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202V-1
* 2ПС202В-1
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202V1N
* 2ПС202В1Н
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202G-1
* 2ПС202Г-1
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
2PS202G1N
* 2ПС202Г1Н
| Сдвоенный бескорпусной кремниевый ионно-легированный эпитаксиально-пла
нарный с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Для входных кас
кадов интегральных микросхем, герметизации и защиты.
|
AP325A-2
* АП325А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С.
Возможна поставка транзистора в виде чипа.
|
AP326A-2
* АП326А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С.
Возможна поставка транзистора в виде чипа.
|
AP328A-2
* АП328А-2
| Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора NE463 (NEC).
|
AP330A-2
* АП330А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог тразистора JS8830AS (Toshiba).
|
AP330B-2
* АП330Б-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора JS8830AS (Toshiba).
|
AP330V-2
* АП330В-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE673, JS830, FRH01FH (Fujitsu).
|
AP330V1-2
* АП330В1-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE673, JS830, FRH01FH (Fujitsu).
|
AP330V2-2
* АП330В2-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора FRH01FH (Fujitsu).
|
AP330V3-2
* АП330В3-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора FRH01FH (Fujitsu).
|
AP331A-2
* АП331А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора CFY-12.
|
AP339A-2
* АП339А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора NE388-06 (NEC).
|
AP343A-2
* АП343А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов CFY25-20, CFY25-17 (Siemens).
|
AP343A1-2
* АП343А1-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов CFY25-20, CFY25-17 (Siemens).
|
AP343A2-2
* АП343А2-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов MGF4310, MGF4415.
|
AP343A3-2
* АП343А3-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов MGF4310, MGF4415.
|
AP344A-2
* АП344А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE72089A, NE76184A (NEC).
|
AP344A1-2
* АП344А1-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов NE72089A, NE76184A (NEC).
|
AP344A2-2
* АП344А2-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов FSC 10, FHC30LG/FA (Fujitsu).
|
AP344A3-2
* АП344А3-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С.Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзисторов FSC 10, FHC30LG/FA (Fujitsu).
|
AP344A4-2
* АП344А4-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Аналог транзисторов FCS 10, FHC30LG/FA
(Fujitsu). Возможна поставка транзистора в виде чипа.
|
AP362A9
* АП362А9
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
|
AP362B9
* АП362Б9
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
|
AP379A9
* АП379А9
| Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора CF 739.
|
AP379B9
* АП379Б9
| Транзистор малошумящий двухзатворный предназначен для устройств СВЧ.
Диапазон рабочих температур от -60 до +85*С. Возможна поставка тран-
зистора в виде чипа. Аналог транзистора CF 739.
|
AP605A-2
* АП605А-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel).
|
AP605A1-2
* АП605А1-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel).
|
AP605A2-2
* АП605А2-2
| Транзистор малошумящий предназначен для устройств СВЧ.Диапазон рабочих
температур от -60 до +85*С. Возможна поставка транзистора в виде чипа.
Аналог транзистора DXL2608A (Dexcel).
|
KP202D-1
* КП202Д-1
| Одиночный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
KP202E-1
* КП202Е-1
| Одиночный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
KPS104A
* КПС104А
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов ди
фференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS104B
* КПС104Б
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS104V
* КПС104В
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS104G
* КПС104Г
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS104D
* КПС104Д
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS104E
* КПС104Е
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе. Для вх каскадов диф
ференциальных усилителей постоянного тока и низкой частоты.
|
KPS202A-1
* КПС202А-1
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
KPS202B-1
* КПС202Б-1
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
KPS202V-1
* КПС202В-1
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
KPS202G-1
* КПС202Г-1
| Сдвоенный кремниевый эпитаксиально-планарный с p-n переходом и каналом
n-типа, малошумящий, в металлостеклянном корпусе, с гибкими выводами.
Для аппаратуры широкого применения.
|
